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含碳化硅廢水如何處理

該廠(chang)共(gong)有(you)48個水(shui)(shui)洗池,根據廠(chang)方提供的資料,碳(tan)化(hua)硅(gui)廢水(shui)(shui)水(shui)(shui)量(liang)為(wei)300噸/天(tian)。廠(chang)區(qu)排出的廢水(shui)(shui)中含有(you)大(da)量(liang)的碳(tan)化(hua)硅(gui)微粉,懸浮物濃度(du)高,難于(yu)自然沉降,需要經過(guo)處理后再排放。

洗碳化硅過程中酸堿水如何處理可以排放_百度知道

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摘(zhai)要(yao):在碳(tan)化硅磨料化學(xue)處理過程中,采用(yong)水處理的有關技術(shu),可(ke)(ke)以(yi)做到提高生(sheng)產效率12倍(bei),磨料損失減少5/6,且水可(ke)(ke)循環(huan)利(li)用(yong),降低了(le)環(huan)境污染。

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2013年10月19日-碳化硅微(wei)(wei)粉(fen)(fen)具(ju)有超強(qiang)的吸濕(shi)能力(li),因此在使用(yong)碳化硅微(wei)(wei)粉(fen)(fen)時(shi)應該注(zhu)意保障不(bu)要(yao)(yao)受潮,那(nei)么應該怎樣處理(li)碳化硅微(wei)(wei)粉(fen)(fen)受潮的問題呢(ni)?具(ju)體方(fang)法(fa)主(zhu)要(yao)(yao)表現(xian)在以下三種:1、不(bu)。

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該廠共有48個水洗池,根據廠方提供的資料(liao),碳化硅(gui)(gui)廢水水量為(wei)300噸/天。廠區(qu)排出的廢水中含有大量的碳化硅(gui)(gui)微粉,懸浮物濃度高,難(nan)于自然沉降,需要經過處(chu)理后(hou)再(zai)排放。

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[摘要]本發明一種在碳(tan)化(hua)硅基襯底上獲得(de)高(gao)速電學材(cai)料(liao)結構的(de)方法,包括如下(xia)步(bu)驟(zou):1)取表(biao)面生長有碳(tan)化(hua)硅單晶層的(de)硅材(cai)料(liao)或碳(tan)化(hua)硅單晶材(cai)料(liao),進行(xing)清洗(xi)處理,作(zuo)為高(gao)速器件結構。

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采用(yong)有機泡沫浸漬(zi)法(fa)制備碳化硅泡沫陶瓷時,通過對聚氨(an)脂泡沫進行不同改性劑(ji)的(de)(de)表(biao)(biao)面處理(li)來改善其掛漿性能,利用(yong)一種更(geng)加合理(li)的(de)(de)表(biao)(biao)征(zheng)方(fang)法(fa),即測量掛漿后泡沫陶瓷素坯孔筋。

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新建電(dian)鍍廠,主(zhu)要是(shi)聚乙二醇廢水需(xu)要處理,含(han)少量碳(tan)化(hua)硅,每天排(pai)污量400噸,cod現(xian)在是(shi)4000左右,要求降到(dao)500以(yi)下。排(pai)放(fang)標準:達(da)標排(pai)放(fang)當前(qian)狀(zhuang)態:已解決。

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表面處理對碳化硅泡沫陶瓷掛漿性能的影響

當球鐵中硅(gui)含量(liang)過低時,未(wei)經(jing)過碳化(hua)硅(gui)處(chu)理的(de)一些試樣中有較(jiao)多(duo)的(de)碳化(hua)物出現(xian),而碳化(hua)硅(gui)處(chu)理的(de)試樣碳化(hua)物含量(liang)極少,有更多(duo)的(de)石墨(mo)球數(shu)。3.利用碳化(hua)硅(gui)孕育處(chu)理的(de)球鐵的(de)試塊。

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黑碳化硅常(chang)見(jian)的事(shi)故及處理方法節爐膛結焦(jiao)(jiao)事(shi)故爐膛結焦(jiao)(jiao)事(shi)故是CFB鍋爐常(chang)見(jian)的燃燒事(shi)故,無(wu)論是在鍋爐啟動階段(duan)還是在機組正常(chang)運行過程(cheng)中,都有發生鍋爐結焦(jiao)(jiao)事(shi)故的。

聚乙二醇和碳化硅廢水處理,400噸/天-污水寶

摘要:正反(fan)應燒(shao)結碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)中形成的次生碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)多(duo)(duo)以(yi)晶(jing)間等軸狀球(qiu)形顆粒存在,晶(jing)間細小粒狀SiC的增多(duo)(duo)在硅(gui)(gui)/碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料(liao)中形成較多(duo)(duo)的弱硅(gui)(gui)-碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)界面,使材(cai)料(liao)總(zong)體斷裂能力。

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