金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧(yang)化物碳化硅避雷(lei)器電力(li)電纜電壓(ya)響應過沖(chong)保(bao)護(hu)性(xing)能殘壓(ya)測(ce)試回路(lu)相近似電流脈沖(chong)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖(chong)激光退火(huo)納米碳化硅的光致發光于威,何杰(jie),孫運濤,韓理(li),在電流激發方面(mian)存在較大困難,因此對(dui)碳化硅發光材料的制(zhi)備及發光特性進行分析(xi)對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河(he)北大學碩(shuo)士學位論文納米(mi)碳化硅的(de)脈沖激光燒蝕沉積及其光學特(te)性研究(jiu)姓名:孫運濤(JFET,可達到(dao)電(dian)流水(shui)平400mA/mm,電(dian)導的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作(zuo)的(de)金(jin)屬(shu)。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年(nian)(nian)5月9日-1998年(nian)(nian)已有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸(shu)出功(gong)率400W的報道[;。2.2碳化硅功(gong)率雙(shuang)極與碳化硅功(gong)率MOS相比,對(dui)3000V以(yi)上的阻斷電(dian)壓,其通態電(dian)流密(mi)度可以(yi)高出幾(ji)個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日(ri)-從而具有非常高的(de)浪涌(yong)電(dian)流承受能(neng)力和穩定的(de)過壓中的(de)PFC級應用在瞬時脈沖(chong)和過壓狀態(tai)下具有更高利用具有獨特性能(neng)的(de)碳化(hua)硅作(zuo)為(wei)器件材料,能(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈(mo)沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極(ji)極(ji)化(hua)結構研究(jiu)了電源(yuan)頻率、占空比、陰極(ji)電流(liu)密(mi)度及鍍液中鈷1袁(yuan)逖(ti);高頻脈(mo)沖電沉積鎳鈷碳化(hua)硅鍍層(ceng)耐(nai)蝕性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正(zheng)采用(yong)60m長的(de)138kV電力(li)電纜產生的(de)幾十萬伏、2萬安以(yi)上(shang)的(de)電流、波(bo)頭時間約50ns的(de)脈沖。被試(shi)品(pin)為9kV金屬氧化(hua)物及碳化(hua)硅(gui)避(bi)雷(lei)器。避(bi)雷(lei)器的(de)電壓(ya)(ya)響應(ying)包括陡(dou)的(de)過沖電壓(ya)(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國陸軍研究人員正在向(xiang)行業(ye)尋求(qiu)開發(fa)進(jin)的碳化(hua)硅(SiC)半導體(ti)功率電(dian)(dian)子(zi)技術種高等級(ji)配置的高壓(ya)開關,脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya)15000V,小(xiao)電(dian)(dian)壓(ya)10000V,電(dian)(dian)流峰(feng)值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用(yong)XeCl準分(fen)子脈沖激(ji)光(guang)退火(huo)技術制備了(le)納米晶態碳化硅薄(bo)膜(nc—SiC),并對薄(bo)膜的光(guang)致(zhi)發光(guang)(PL)特(te)性進行(xing)了(le)分(fen)析(xi)。結果(guo)表明,納米SiC薄(bo)膜的光(guang)致(zhi)發光(guang)表現(xian)為300-600nm.范(fan)圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)驅動脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅動電(dian)(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流(liu).V為(wei)驅動脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅動電(dian)(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流(liu).收藏此(ci)頁(ye)推薦給好友09-23[技術資訊]碳化(hua)硅在高溫范圍內具有低開(kai)關損(sun)耗(hao)的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)改(gai)進的(de)(de)(de)(de)過壓和浪涌(yong)電流能力可以使(shi)二(er)極(ji)管(guan)的(de)(de)(de)(de)壓力減小,使(shi)應用具有更高的(de)(de)(de)(de)可靠性(xing)。SiC肖特基二(er)極(ji)管(guan)——適(shi)合各種(zhong)供電條件的(de)(de)(de)(de)解決(jue)方案利用具有獨特性(xing)能的(de)(de)(de)(de)碳化硅作為(wei)器件。
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論文(wen)天下提供的(de)<高(gao)頻脈沖(chong)電沉(chen)積鎳鈷碳化(hua)硅鍍層(ceng)耐(nai)蝕(shi)性(xing)耐(nai)磨性(xing)的(de)研究;論文(wen)包括高(gao)頻脈沖(chong)電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性(xing)耐(nai)磨性(xing)陽極極化(hua)結構等其他相關內容論文(wen)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-收費碩士博士
諸暨市特耐(nai)工程陶瓷有(you)限公司碳化硅(gui)脈(mo)沖類型(xing)(xing):脫硫(liu)除(chu)塵器林格曼黑度:3級品牌:帕特納型(xing)(xing)號:碳化硅(gui)噴嘴脫硫(liu)率(lv):97(%)除(chu)塵率(lv):96(%)阻力損失(shi):-(Pa),環球貿易網為您提(ti)供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日-0405SC-2200M碳(tan)化硅晶(jing)體管,射(she)頻(pin)峰值(zhi)功率(lv)達2200瓦,可(ke)用(yong)于(yu)大功率(lv)超(chao)高(gao)頻(pin)脈(mo)沖系統的另一些優點包括(kuo)簡(jian)化阻抗匹配,125伏的操縱電(dian)壓,低(di)電(dian)導電(dian)流,高(gao)峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方(fang)法制備(bei)碳/碳化硅(gui)復(fu)合材料界面的微(wei)觀結構與性能研(yan)究(jiu)袁(yuan)明,黃(huang)政仁(ren),董(dong)紹(shao)明,朱(zhu)云洲(zhou),江東亮中國(guo)科學院上(shang)海硅(gui)酸鹽研(yan)究(jiu)所(suo),上(shang)海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)(xue)碩士學(xue)(xue)位論文納(na)米碳化硅的脈沖(chong)激光(guang)(guang)燒蝕沉積及(ji)其光(guang)(guang)學(xue)(xue)特性研究(jiu)姓(xing)名(ming):孫運濤申請(qing)學(xue)(xue)位級別:碩士專業:光(guang)(guang)學(xue)(xue)指導教(jiao)師:于(yu)威20030101摘要本(ben)工作采用脈沖(chong)激光(guang)(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美(mei)國(guo)陸(lu)軍研究(jiu)人員正(zheng)在(zai)向行業尋(xun)求(qiu)開(kai)發進(jin)的碳化硅(gui)(SiC)半導體(ti)功率電(dian)子技術(shu)種高(gao)等級(ji)配置(zhi)的高(gao)壓(ya)開(kai)關,脈沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流峰值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
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[圖文]從而(er)具有非常高的浪涌電流承受(shou)能(neng)力和穩定的過壓(ya)特性。網中的PFC級(ji)應用(yong)在瞬時脈沖和過壓(ya)狀態(tai)下具有更高的利(li)用(yong)具有獨特性能(neng)的碳化硅作(zuo)為器件材料,能(neng)制(zhi)造(zao)出(chu)接近(jin)。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通(tong)過(guo)(guo)激光(guang)脈(mo)沖波形與光(guang)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)脈(mo)沖波形的(de)比(bi)較,估算出2種(zhong)光(guang)導開關的(de)載(zai)流(liu)(liu)(liu)子壽命和載(zai)流(liu)(liu)(liu)子的(de)基礎上(shang)改進(jin)設計,研制出了工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)壓超過(guo)(guo)10kV、工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)超過(guo)(guo)90A的(de)碳(tan)化硅(gui)光(guang)導。
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鄭州嵩陽(yang)機械有限公司提供(gong)多種(zhong)型號(hao)的碳(tan)(tan)化硅脈(mo)沖除(chu)塵(chen)(chen)設(she)備,廠(chang)家直接供(gong)貨(huo)價(jia)格優(you)勢明顯,本公司提供(gong)的碳(tan)(tan)化硅脈(mo)沖除(chu)塵(chen)(chen)設(she)備,高(gao)品(pin)質(zhi)♂碳(tan)(tan)化硅脈(mo)沖除(chu)塵(chen)(chen)設(she)備♀只有嵩陽(yang)機械。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這些測試包(bao)括使用1祍脈沖,開(kai)關(guan)時間比為1000,在(zai)“開(kai)”狀態驅動電流是(shi)100本(ben)文鏈接:碳化(hua)硅電子(zi):全球協會(hui)提倡SiC高(gao)頻PI:/news。
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[圖文(wen)]GaN器(qi)件包含五項重要特(te)征:高(gao)介(jie)電(dian)強(qiang)度(du)(du)、高(gao)工作溫度(du)(du)、大電(dian)流密度(du)(du)、高(gao)開關速(su)度(du)(du),如(ru)何在高(gao)效脈沖跳頻模式(shi)下(xia)選擇輸(shu)出濾波(1)智(zhi)能(neng)電(dian)視前進路上的三(san)座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增強(qiang)型碳化(hua)硅縱(zong)向結型場效應(ying)晶體(ti)管(guan)功(gong)率(lv)模塊《電(dian)力電(dian)子》2011年(nian)第4期開關測試采用了(le)標準的雙脈沖感性負載(zai)電(dian)路,在600V、100A、溫度分別為25℃和150。
碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PIN二極管-產業縱橫-行業資訊-
阿里(li)巴(ba)巴(ba)大量供(gong)應碳化(hua)硅(gui)超細(xi)磨(mo)碳化(hua)硅(gui)專用磨(mo)碳化(hua)硅(gui)微粉(fen)(fen)磨(mo)脈沖除塵器(qi)-金(jin)屬硅(gui)磨(mo)粉(fen)(fen),,這里(li)云集了眾多的(de)供(gong)應商,采購商,制造(zao)商。這里(li)大量供(gong)應碳化(hua)硅(gui)超細(xi)磨(mo)碳化(hua)硅(gui)專用磨(mo)。
硅氮化鎵碳化硅如何為功率設計尋找的工藝和供應商(2)-
請撥打(da)-67897956咨詢綠碳化(hua)硅脈沖除(chu)塵(chen)器(qi),我(wo)公(gong)司還常(chang)年現貨供應(ying)本公(gong)司相關產(chan)品碳化(hua)硅微粉(fen)磨價(jia)格(ge)(ge),超細粉(fen)碎機價(jia)格(ge)(ge),氣流(liu)分號機價(jia)格(ge)(ge),閃蒸干燥設備價(jia)格(ge)(ge),內分級超細磨。
1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年4月16日(ri)-既能滿足電(dian)子模(mo)塊的(de)正常(chang)工作電(dian)流(圖1中的(de)If),也能承受ISO7637-2脈沖(chong)[新(xin)品(pin)快訊]美高森美推出碳化硅(SiC)材料和(he)技術的(de)全新(xin)1200V肖特基(ji)二極管(guan)。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽:600509石(shi)(shi)墨烯碳化硅(gui)背景資料老孟股票具有電(dian)(dian)荷(he)這種(zhong)性(xing)質,電(dian)(dian)荷(he)的傳導能夠(gou)形成電(dian)(dian)流并成為電(dian)(dian)子(zi)(zi)采(cai)用(yong)脈沖電(dian)(dian)子(zi)(zi)輻(fu)照技(ji)術在SiC基底(di)上外(wai)延石(shi)(shi)墨烯是(shi)我們(men)。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電流互感(gan)器(qi)保護(hu)(hu)(hu)用于(yu)(yu)保護(hu)(hu)(hu)電流互感(gan)器(qi)即CTPU.典型應用于(yu)(yu)互感(gan)器(qi)二(er)次過壓(ya)保護(hu)(hu)(hu),此類電阻片(pian)的(de)靈活性使(shi)其(qi)得到廣(guang)范應用,可用于(yu)(yu)熒光燈的(de)尖峰(feng)脈沖(chong)抑制(直徑為26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損(sun)壞的(de)避(bi)雷(lei)器(qi)(qi)閥片來看,這些(xie)避(bi)雷(lei)器(qi)(qi)的(de)閥片所用的(de)碳(tan)化(hua)硅比(bi)較松散,多(duo)半是這根電線(xian)有脈沖電流渡過,這時,測定在配電線(xian)路的(de)導體上感應(ying)的(de)電壓(ya)波形。相應(ying)的(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月21日(ri)-尤其(qi)是碳化硅微粉(fen)(fen)磨的生產加工中(zhong),粉(fen)(fen)塵(chen)外泄問題為(wei)嚴(yan)重(zhong),上海卓亞礦(kuang)山機械(xie)有限公司(si)研(yan)究者為(wei)其(qi)進行(xing)相(xiang)應的分析與設備的改造(zao)實驗,終得出使用脈沖除塵(chen)器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文]2011年8月4日(ri)-現在還有許多(duo)公司在用不同的基底(如藍(lan)寶石(shi)和碳化硅(gui))生產GaNLED,這些LED該電路的基本功能(neng)是產生低頻、快(kuai)速(su)、大功率驅動電流脈沖(chong)信號,輸出脈沖(chong)的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有(you)頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率(lv)400W的報道[;。2.2碳化(hua)硅(gui)功率(lv)雙(shuang)極開(kai)發碳化(hua)硅(gui)BJT的主(zhu)要(yao)問題是提高電流(liu)增益。早期(qi)6H-SiCBJT的電流(liu)增益只有(you)10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵(chen)器,分號機,粉(fen)碎(sui)機,氣流磨(mo),青島精華(hua)PZ粉(fen)碎(sui)機的用途及適(shi)應范(fan)圍:化工(gong)等物科的粉(fen)碎(sui),尤其適(shi)用于碳(tan)化硅、剛玉、石(shi)英、烙煉(lian)石(shi)英、石(shi)餾(liu)石(shi)等物科的粉(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化(hua)硅顆(ke)粒化(hua)學鍍鎳對鐵(tie)基復(fu)合材料性能的影響張(zhang)躍波(bo)1,宗(zong)亞平1,曹新建1,張(zhang)龍21.東北大學材料各向異性與織構教(jiao)育部實(shi)驗室(shi)沈陽1108192.金策工業綜合。