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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月21日-這(zhe)一項目采用(yong)(yong)碳化(hua)硅(gui)單結晶加工物(wu)做為粉碎(sui)介(jie)質、應(ying)用(yong)(yong)水流粉碎(sui)機、粉碎(sui)工程內分級和酸堿洗凈技術,開發出了純度(du)高、雜質含(han)量低的超(chao)細碳化(hua)硅(gui)微粒,并打(da)入(ru)了。

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工業碳化硅因所含雜質的(de)種類(lei)和含量不同,而呈(cheng)淺黃、綠、藍乃黑色(se),透明度隨其產品適用(yong)于(yu)制造碳化硅細粉(fen)(fen)和超細陶瓷級碳化硅粉(fen)(fen)料(liao)(liao)。Electro磨料(liao)(liao)公司(si)Electro磨料(liao)(liao)。

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但(dan)是(shi)由于普通(tong)RBSC陶(tao)瓷的(de)原料(liao)雜質(zhi)含(han)量(liang)高、粒徑分(fen)布寬及成型工(gong)藝(yi)和(he)燒結工(gong)藝(yi)的(de)多樣化(hua)超(chao)細碳化(hua)硅微粉的(de)制(zhi)備及反應燒結碳化(hua)硅性能的(de)研(yan)究(jiu)文檔分(fen)類論文-。

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含量:99.9產(chan)品(pin)規格:1000nm產(chan)品(pin)包裝(zhuang):1kg/包且(qie)不會帶入雜(za)質,是(shi)金剛石磨料的理想(xiang)替(ti)代品(pin);5、;;納米碳(tan)化硅,超細碳(tan)化硅,碳(tan)化硅相關供應商。

碳化硅_百度百科

本發明涉及一種應用X射線(xian)熒(ying)光光譜法檢測碳化(hua)(hua)硅(gui)雜質含量的方法,其(qi)步驟如下(xia):1、制備(bei)測試樣(yang)(yang)片;2、制備(bei)標準(zhun)樣(yang)(yang)片:①提純碳化(hua)(hua)硅(gui)的制樣(yang)(yang);②碳化(hua)(hua)硅(gui)提純,制備(bei)出純品碳化(hua)(hua)硅(gui);③。

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反應燒(shao)結超(chao)細SiC原位凝固(gu)/干壓成型(xing)碳(tan)(tan)密度顯微結構力學性能但是(shi)由(you)于普通RBSC陶瓷(ci)的原料雜質含(han)量(liang)高、粒(li)徑(jing)分(fen)布1尹長霞;超(chao)細碳(tan)(tan)化硅微粉的制(zhi)備及反應燒(shao)結碳(tan)(tan)化硅。

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納(na)米(mi)碳化硅(gui)(gui)供應信息<0.9%游離硅(gui)(gui):<0.2%金屬雜質含(han)量:400ppmD50:50-60nm比表(biao)面積:碳化硅(gui)(gui),納(na)米(mi)碳化硅(gui)(gui),微米(mi)碳化硅(gui)(gui),超細(xi)碳化硅(gui)(gui)碳化硅(gui)(gui),納(na)米(mi)碳化硅(gui)(gui),微米(mi)碳化。

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張波—碳化硅_百度文庫

(編(bian)號:WND1109723-0059-0005)一(yi)種高純(chun)超(chao)細(xi)碳化硅*粉回(hui)收提純(chun)分級技術[技術摘要(編(bian)號:WND1109723-0068-0007)應用X射線熒(ying)光(guang)光(guang)譜法檢測碳化硅雜質(zhi)含量的(de)方法(。

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納米(mi)碳化(hua)硅查看原(yuan)圖(點擊放大(da))價(jia)格:面(mian)議(yi)/電議(yi)對象客戶(hu):陶瓷,金(jin)屬(shu),高分子,金(jin)屬(shu)雜(za)質(zhi)含量:400ppmD50:50-60nm比表(biao)面(mian)積:21.94m2/g外(wai)觀:灰(hui)綠色粉末。

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立(li)方碳(tan)(tan)化(hua)硅,碳(tan)(tan)化(hua)硅微粉(fen),超細碳(tan)(tan)化(hua)硅點擊(ji)放大價格(ge):無參(can)考產(chan)地:未(wei)知小起宏(hong)武納米betasic碳(tan)(tan)化(hua)硅β相(xiang)含量高、產(chan)品雜質少、可以批量生(sheng)產(chan),增(zeng)強增(zeng)韌耐磨(mo)。

線碳化硅工藝制作技術專題-聚乙二醇和碳化硅-線催化劑-碳化硅碳-

2011年(nian)6月13日-提(ti)高(gao)產品質(zhi)量,減少碳化硅產品中的(de)(de)雜質(zhi)成份含量。提(ti)高(gao)碳化硅產品的(de)(de)純度(du)、的(de)(de)晶體在破(po)碎時,因強度(du)低,韌性差,受外力(li)作用首先被粉碎成粉狀顆粒或超(chao)細(xi)。

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2013年4月(yue)3日-有的工(gong)廠采(cai)用低檔原(yuan)料(liao)如鐵質(zhi)砂、沉淀池和收塵裝置收集的碳化硅細粉來制造微粉,這也(ye)是可(ke)行的方法(fa),且可(ke)以(yi)降低制造成本。但(dan)這些原(yuan)料(liao)雜質(zhi)含量多,因而必須。

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某(mou)常壓燒結(jie)陶(tao)瓷級碳化(hua)硅微粉要(yao)求(qiu)原(yuan)料平均(jun)粒度D50〈0.8μm,對原(yuan)料中雜質鐵、碳、硅的含量要(yao)求(qiu)較嚴格(ge),通過選礦和化(hua)學處理(li)方(fang)法(fa)可使其雜質含量達到標(biao)準需求(qiu),超(chao)細磨前。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重結晶碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)制品專用碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)粒度砂生產方(fang)法7、碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)超細微粉及(ji)其生產方(fang)法8、亞47、應用X射線熒光光譜法檢測碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)雜(za)質含量的(de)方(fang)法48、連續碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)纖維制造用油劑。

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無法(fa)滿足這樣的(de)需要,針對有需要有很廣大(da)的(de)市場這個需求,我們的(de)張(zhang)總經理帶領科技(ji)人(ren)才的(de)不(bu)斷的(de)創新和實踐(jian)中,克服了重(zhong)重(zhong)的(de)困難(nan),終研(yan)制出了一種新型碳(tan)化硅超細微(wei)粉。

碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年8月21日-841CN200810050205.5一(yi)種高純超細碳化硅微(wei)粉(fen)回收提純分級技術842CN990CN200910228151.1應用X射線(xian)熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢測碳化硅雜質含量的方(fang)法(fa)991CN。

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結果表明,納米碳化(hua)硅粒子能在很低的(de)含量下(xia)提高環(huan)氧樹脂耐磨性、并降低其(qi)摩(mo)擦系數336.劉玲,黃爭鳴,周燁欣,徐貴營.超細纖維增強復合材料Ⅰ型(xing)層(ceng)間斷裂韌(ren)性。

新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現熱(re)分(fen)解溫(wen)度降低在宏觀上可能是由(you)于(yu)雜質在本體(ti)溶液中的依數性熱(re)力(li)學效應所(suo)導致。通(tong)過掃(sao)描電鏡分(fen)析發現,當納米碳化硅SiC含(han)量(liang)為(wei)1%時,晶胞尺寸增(zeng)大(da)到了535μm,但有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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合(he)成碳化(hua)硅產品的(de)提純方(fang)面的(de)信(xin)息,提純方(fang)法與提純結(jie)果(guo)等,特別(bie)是對(dui)其中雜質鐵的(de)去除合(he)成的(de)超細粉β—SiC含量為(wei)88.07%(SiO_2轉(zhuan)化(hua)率為(wei)97.44%).期(qi)間分析了煤(mei)矸石。

納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金剛砂(金剛沙(sha))純碳化(hua)硅是(shi)無(wu)色透明(ming)的(de)晶體(ti)。工業碳化(hua)硅因(yin)所含(han)雜質(zhi)的(de)種類和含(han)量(liang)不同,而(er)呈淺黃、綠、藍乃06-19批發(fa)零(ling)售碳化(hua)硅粉(價格優(you)惠)碳化(hua)硅粉黑碳化(hua)硅。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年12月28日(ri)-碳(tan)化(hua)硅(gui)冶煉(lian)時(shi)的(de)分解過(guo)程(cheng)(cheng),實質(zhi)上是產(chan)品(pin)的(de)凈(jing)化(hua)過(guo)程(cheng)(cheng)。分解過(guo)程(cheng)(cheng)次(ci)數(shu)越(yue)多(duo),產(chan)品(pin)凈(jing)化(hua)程(cheng)(cheng)度充分,凈(jing)化(hua)程(cheng)(cheng)度越(yue)徹底,終(zhong)的(de)產(chan)品(pin)越(yue)純凈(jing),產(chan)品(pin)中(zhong)雜質(zhi)含量越(yue)少,其(qi)韌(ren)性。

碳化硅的純度問題

其中,雜(za)質少(shao)的(de)(de)呈綠(lv)色,雜(za)質多(duo)的(de)(de)呈黑色。2、化(hua)在高(gao)溫(wen)下發(fa)生反應,由(you)此(ci)制備納(na)米級(ji)的(de)(de)β-碳(tan)化(hua)硅(gui)超細(xi)粉(fen)氧(yang)含量(liang)高(gao)低(di),通常C的(de)(de)添加量(liang)與碳(tan)化(hua)硅(gui)粉(fen)料中的(de)(de)氧(yang)含量(liang)。

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如(ru)碲(di)化鉛(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫(liu)化鉛(PbS)、碳化硅(gui)(SiC)等(deng)。與金屬材(cai)料(liao)不同,半導(dao)體中雜(za)質含量和外(wai)界條(tiao)件的(de)改變(如(ru)溫度變化、受光照射等(deng)),都會(hui)使半導(dao)體的(de)。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純(chun)碳化硅(gui)是無色透(tou)(tou)明的晶體。工業(ye)碳化硅(gui)因所含(han)雜(za)質(zhi)的種類(lei)和含(han)量不同,而呈淺黃、綠、藍乃黑色,透(tou)(tou)明度隨其(qi)純(chun)度不同而異。碳化硅(gui)晶體結構分為六方或菱面體的α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一(yi)種碳化硅納米(mi)纖(xian)維(wei)的制備方(fang)法(fa),它涉(she)及一(yi)種陶瓷(ci)纖(xian)維(wei)的制備工藝。為了解決現有方(fang)法(fa)纖(xian)維(wei)的雜質含量(liang)極低(di),纖(xian)維(wei)的直徑在20~200nm之(zhi)間,長度在幾個毫米(mi)之(zhi)間,表面光滑,。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年3月19日-1041CN200810050205.5一(yi)種高純超細碳化硅微粉回(hui)收提(ti)純分級(ji)技術1042CN1190CN200910228151.1應用X射線熒光光譜(pu)法檢測碳化硅雜質(zhi)含量的(de)方法1191CN。

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碳化硅超(chao)細(xi)粉體(ti)的制備(bei)和(he)流態化處理導(dao)出(chu)添加到引用通知(zhi)分(fen)享到下(xia)載PDF閱讀(du)雜質相(xiang)分(fen)布等有決定性的影響,從而直接影響著與(yu)這(zhe)些微(wei)結(jie)結(jie)構密(mi)切相(xiang)關的材料力學(xue)。

一種碳化硅納米纖維的制備方法

濰坊凱(kai)華碳化(hua)硅微(wei)粉生產各種型號碳化(hua)硅微(wei)粉,碳化(hua)硅超細微(wei)粉,純度(du)高、粒(li)型好、更穩定,用(yong)于反應(ying)燒結(jie)、五壓燒結(jie)、硅碳棒新工藝、研磨拋、光防腐、涂腐、尾氣處理(DPF)。

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產品碳化硅(gui)微粉磨,超細(xi)(xi)粉碎機,氣流分號機,閃蒸干(gan)燥設(she)備,內(nei)分級超細(xi)(xi)磨,礦(kuang)渣(zha)超細(xi)(xi)磨防(fang)敏感材料,使(shi)設(she)備磨損小而產品純(chun)度(總雜質含量(liang)小于(yu)4ppm,含空氣帶入雜質。

碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年(nian)5月26日-摘要:采(cai)用納(na)米(mi)碳(tan)化(hua)硅(nm-SiC)對氰酸酯樹脂(CE下抽真空4h,除去吸附的水分及小分子雜(za)質,密封納(na)米(mi)SiC:粒徑4060nm,灰(hui)綠(lv)色超細粉末,合肥。

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