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2013年7月29日-這一種(zhong)足以引發(fa)電(dian)池(chi)領域革命的(de)“石(shi)墨烯(xi)”電(dian)池(chi),其原料正是(shi)近兩年來(lai)席卷資本市(shi)場的(de)黑金石(shi)墨烯(xi)一種(zhong)價格10倍于黃(huang)金的(de)納米材料。但是(shi),石(shi)墨烯(xi)電(dian)池(chi)畢竟(jing)還只是(shi)。
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2013年5月16日-計劃總投資1億元;乙方(fang)以石(shi)墨(mo)烯油墨(mo)的(de)(de)相關(guan)技術(shu)作價(jia)出資600萬元(占20%股權)。微(wei)小石(shi)墨(mo)烯的(de)(de)薄片油墨(mo),以噴墨(mo)打(da)印的(de)(de)模式(shi),打(da)印出導(dao)電性提高250倍、折疊(die)時。
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2011年7月25日-EPS(TTM)$0.06。美國(guo)CVD設備公司下(xia)屬的FirstNano部提供有關石墨烯的一系列(lie)開(kai)始(shi)材料,生產航空查詢死亡交叉(cha)理財規劃(hua)師培訓班(ban)多少(shao)錢西藏天路(lu)。
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2013年5月16日(ri)-計劃總投資1億(yi)元;乙方以石墨(mo)烯油(you)墨(mo)的相關技術作價出資600萬元(占20%股權)。證券時報(bao)網()05月16日(ri)訊近日(ri),美國西北大學(xue)(xue)材料科學(xue)(xue)與工程。
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2013年3月(yue)4日-麻(ma)省理工表示,石墨(mo)烯的(de)(de)未來十分光明,因為(wei)通過這(zhe)種材料(liao),技術(shu)人員可以(yi)開發(fa)出性價比的(de)(de)太陽能(neng)電(dian)池,假(jia)如石墨(mo)烯的(de)(de)開發(fa)技術(shu)足夠成熟,相(xiang)信蘋果不會錯過再一次。
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石(shi)(shi)墨烯,石(shi)(shi)墨烯(graphene)是由當層碳原子緊密(mi)堆(dui)積(ji)成二維(wei)蜂窩狀晶格(ge)結構(gou)(gou)的一種碳質新材料,是構(gou)(gou)建(jian)其他維(wei)度(du)碳質材料(如零維(wei)富勒烯、一維(wei)碳納米(mi)管(guan)、三(san)維(wei)石(shi)(shi)墨等)的基(ji)本。
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2012年5月(yue)4日-在電(dian)磁波譜(pu)中,太(tai)(tai)赫茲波段(duan)是當前熱的研究(jiu)范(fan)圍之(zhi)一(yi)。據美(mei)國(guo)物理(li)學家(jia)組織(zhi)網5月(yue)2日報道(dao),美(mei)國(guo)圣母大學通過實驗證明了(le)利用(yong)石墨烯(xi)原子層(ceng)可以有效操控太(tai)(tai)赫茲。
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[圖文(wen)]格雷菲(fei)尼(ni)(ni)目前國內外制(zhi)(zhi)備石(shi)墨烯(xi)的方法都比較復雜,整個工(gong)藝過程也很難控制(zhi)(zhi),且只(zhi)能生產少量的石(shi)墨烯(xi)納米薄膜(mo),極大地限(xian)制(zhi)(zhi)了(le)石(shi)墨烯(xi)的應(ying)用。格雷菲(fei)尼(ni)(ni)(北京)科技有(you)限(xian)公司(si)。
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鱗片石(shi)(shi)墨價格-石(shi)(shi)墨烯(xi),結構(gou)是什(shen)么?鱗片石(shi)(shi)墨廠翔宇石(shi)(shi)墨為您解析:石(shi)(shi)墨烯(xi)是由碳六元環組成(cheng)的兩維(2D)周期蜂窩狀點陣結構(gou),它可以翹(qiao)曲成(cheng)零(ling)維(0D)的富(fu)勒烯(xi)(。
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2013年(nian)5月1日-山東青島研制(zhi)成功一新(xin)型(xing)石墨烯納米(mi)材料(liao)設(she)備(bei)--納米(mi)材料(liao)沉積設(she)備(bei)是(shi)我(wo)國支持(chi)發展的重(zhong)大技術裝(zhuang)備(bei)。石墨烯是(shi)已知薄、堅硬、導電性能的納米(mi)材料(liao),CVD。
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2011年(nian)9月1日(ri)-英(ying)(ying)將(jiang)石墨烯聚(ju)(ju)光(guang)能力提(ti)高(gao)20倍(bei)可(ke)用于光(guang)電設備(bei)英(ying)(ying)國(guo)科學家(jia)表示,他(ta)們對石墨烯的研究表明,讓石墨烯與金屬納(na)米結構結合可(ke)將(jiang)石墨烯的聚(ju)(ju)光(guang)能力提(ti)高(gao)20倍(bei)。
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2013年10月(yue)1日-石(shi)墨烯應用科(ke)技獲得(de)重大突破(po)7股成瘋狂賺(zhuan)錢(qian)機器,科(ke)學(xue)家實現(xian)石(shi)墨烯光電探測(ce)器與硅晶(jing)片的(de)集成導讀:維也納科(ke)技大學(xue)的(de)科(ke)學(xue)家將石(shi)墨烯光電探測(ce)器和一個。
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3.塑料里摻入百分之一的(de)石墨烯,能(neng)將它們轉變(bian)成電(dian)導體,且(qie)增(zeng)強抗(kang)熱和機械(xie)性能(neng)。4.摻入千(qian)分之一的(de)石墨烯,能(neng)使塑料的(de)抗(kang)熱性能(neng)提高(gao)30攝氏度,有望研制(zhi)出薄。
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2010年8月(yue)5日-石墨烯納(na)米孔設備(bei)可探測單(dan)個(ge)DNA分(fen)子日期:2010年08月(yue)05日據物(wu)理學家組(zu)織網(wang)報道,美國(guo)賓夕法尼亞大學的研究人員近日開(kai)發(fa)出一個(ge)納(na)米級的碳(tan)基平(ping)臺,可用于電子。
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2013年(nian)3月1日-研發石(shi)墨烯的一個原(yuan)因,“但是用實驗室的CVD設備生產出的石(shi)墨烯,成本相對父母把兒女養大(da),已經不(bu)容易,不(bu)感恩(en)不(bu)說,卻因為沒(mei)有給留下(xia)多少錢而遭(zao)。
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單(dan)(dan)層(ceng)和(he)多層(ceng)石墨(mo)烯及(ji)其制造方法、具(ju)有(you)單(dan)(dan)層(ceng)和(he)多層(ceng)石墨(mo)烯的(de)物(wu)(wu)體或電器設(she)備申請號/號:201210191843本發(fa)明的(de)一(yi)個方式的(de)目(mu)的(de)之一(yi)是在具(ju)有(you)凹凸的(de)物(wu)(wu)體上以實際(ji)上均(jun)勻的(de)。
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2013年7月(yue)29日-部分石(shi)墨烯(xi)概念股(gu)研(yan)報(bao)解析:中國寶(bao)安(an)(000009,股(gu)吧):布(bu)局鋰(li)電(dian)負極全產(chan)業國家863鋰(li)離(li)子電(dian)池全產(chan)業鏈項目,并承擔能量(liang)回饋(kui)型的動(dong)力電(dian)池化成生產(chan)設備。
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[圖文]2013年3月4日-石(shi)墨烯或被蘋果采用以(yi)推出太(tai)陽能iOS設(she)備(bei)我們首(shou)先要(yao)簡單了解一下石(shi)墨烯(Graphene),這是一種由碳(tan)原(yuan)子(zi)構(gou)成的單層(ceng)片(pian)狀(zhuang)結(jie)構(gou)的新材料,由碳(tan)原(yuan)子(zi)以(yi)sp2雜(za)化。
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[圖文]2013年2月4日-諾基(ji)亞(ya)(ya)研(yan)究石墨烯的(de)真相:不是為了(le)更硬,而是為了(le)更軟![圖],有消息(xi)稱,芬蘭手(shou)機巨頭諾基(ji)亞(ya)(ya)并剛(gang)剛(gang)從(cong)歐(ou)盟的(de)未來與新(xin)興技術組織(zhi)(FET)獲得了(le)13.5億美元研(yan)究。
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2013年5月(yue)17日-原標題:世界癌(ai)癥大會(hui)(hui)催生抗癌(ai)板塊投資機(ji)會(hui)(hui)可折疊電子設備助推石墨烯打印(yin)概念研判依據:海通(tong)證(zheng)券研報指出,“目前(qian),我(wo)國衛生總(zong)費用(yong)占GDP的(de)比例仍處(chu)于(yu)低。
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2012年4月26日-新(xin)技術(shu)使用了一個由銅—石(shi)墨烯復合材(cai)料制(zhi)成(cheng)的“熱(re)擴(kuo)散器”。科學家們借用一個銦—石(shi)墨烯接(jie)口薄膜(mo),將該(gai)“熱(re)擴(kuo)散器”依附到電子(zi)設(she)備上來給電子(zi)設(she)備。
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2012年5月(yue)12日-據(ju)物理(li)學家(jia)組織網(wang)5月(yue)9日(北(bei)京時間)報(bao)道,美(mei)國加州(zhou)大(da)學河濱(bin)分校(xiao)伯恩斯工程學院的研究人員(yuan)開發出(chu)一種新(xin)技術,可借(jie)助石墨烯實現大(da)功(gong)率半(ban)導體設備的大(da)幅(fu)降溫。