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16高抑煙(yan)型阻燃劑納米氫氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)的(de)制備(bei)及表(biao)面處理(li)新方法(fa)(fa)17管式熱法(fa)(fa)煉(lian)鎂(mei)(mei)生產工(gong)藝及其設備(bei)18過氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)的(de)制備(bei)方法(fa)(fa)19活(huo)性氫氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)的(de)調整方法(fa)(fa)20間接輕(qing)燒。
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本發明(ming)涉及一種高溫超導材料(liao)氧(yang)化鎂(mei)單晶(jing)的(de)生產方(fang)法(fa)和(he)制備設(she)備,本發明(ming)的(de)方(fang)法(fa)是通過以下步驟(zou)實現(xian)的(de):原料(liao)制作(zuo)(1):制品處理(2);通過在(zai)周邊使(shi)用MGO96%以上重質(zhi)氧(yang)化鎂(mei)材料(liao)。
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2005年3月3日-二、單晶氧(yang)化鎂(mei)常規生長技術(shu)單晶氧(yang)化鎂(mei)一般是在大功率,三相電(dian)弧爐熔制,這種方法(fa)的優點:生產(chan)量大,設備結構簡單。缺(que)點是:由于石(shi)墨電(dian)極(ji)在熔制過程中進入。
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47利(li)用(yong)硼(peng)泥生產氧化鎂單晶的方(fang)法(fa)48用(yong)TiO<sub;2</sub;超細粉(fen)焰熔法(fa)人(ren)工合成(cheng)金(jin)(jin)紅石(shi)單晶的方(fang)法(fa)和(he)設備(bei)49一種制備(bei)金(jin)(jin)屬合金(jin)(jin)粉(fen)末(mo)的方(fang)法(fa)50硼(peng)酸(suan)鉍晶體的坩(gan)堝下(xia)降法(fa)。
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一種高(gao)溫(wen)超導(dao)材料(liao)(liao)氧化鎂單晶的生產方法,其特(te)征在于:是通過(guo)以下步(bu)驟(zou)實現(xian)的:原(yuan)料(liao)(liao)制作:礦石-。
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9、低氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)絕熱(re)材料及其生產方法(fa)10、低氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)鎂(mei)(mei)硅鐵產品(pin)的生產工藝和設備(bei)1125、利(li)用硼(peng)泥生產氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)單晶的方法(fa)26、利(li)用余熱(re)爐內焙燒(shao)礦石制(zhi)取電(dian)熔(rong)氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)。
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納(na)米氫氧化(hua)鎂(mei)的制(zhi)備及表面處理(li)新方法(fa)17、管式熱法(fa)煉鎂(mei)生(sheng)產工藝及其設備18、用硼泥制(zhi)備大尺(chi)寸(cun)氧化(hua)鎂(mei)單晶及其性能研究209.水熱合成(cheng)法(fa)制(zhi)備高(gao)純度氧化(hua)鎂(mei)210.。
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13、硅基(ji)納米粉生(sheng)產線輸粉,收粉設備14、硅片和(he)生(sheng)產單晶硅的方(fang)法15、硅微(wei)粉和(he)鋯55200310123644.1用礦熱爐生(sheng)產低氧化鎂(mei)稀土鈣鎂(mei)硅鐵合金(jin)的冶煉工藝56。
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.0爐外(wai)預熱(re)分(fen)解制取(qu)電熔氧(yang)(yang)化鎂(mei)工藝及其(qi)設備1402107661.8氨全循環法生(sheng)產氫氧(yang)(yang)化鎂(mei)和(he)氧(yang)(yang)化鎂(mei)114200680009667.1單晶氧(yang)(yang)化鎂(mei)及其(qi)制造方法115。
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硅(gui)鈣鋇鎂(mei)復合脫氧劑(ji)的生產工(gong)藝(yi)及所使用的設(she)備(0012)氯(lv)氧鎂(mei)、硅(gui)鎂(mei)水泥托盤(0013(0035)氧化(hua)鎂(mei)單晶蒸鍍(du)材料及其制造方(fang)法(0036)氫氧化(hua)鎂(mei)疏松型納米粒子(zi)塊(kuai)體阻燃劑(ji)。
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172利用硼泥生產(chan)氧化鎂單晶(jing)的(de)方(fang)法251一種(zhong)(zhong)氧化鎂制(zhi)(zhi)備(bei)方(fang)法013一種(zhong)(zhong)制(zhi)(zhi)取改(gai)性氫080低氧化鎂鎂硅鐵產(chan)品的(de)生產(chan)工(gong)藝和(he)設(she)備(bei)196真空煤炭熱(re)還原(yuan)氧化鎂礦提取金(jin)屬鎂。
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一種利(li)用(yong)硼泥(ni)生產氧化(hua)(hua)鎂(mei)單晶(jing)的方法,將(jiang)硼泥(ni)經300-600℃輕燒處理后(hou),以1∶10-20的固液(ye)比,液(ye)體(ti)為水(shui),在壓力罐中混合,通入來自(zi)石灰窯的二氧化(hua)(hua)碳氣,濃(nong)度為10-35%,。
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鈦(tai)酸鍶單晶基片上(shang)外(wai)延(yan)生(sheng)長氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)納(na)米線的方(fang)法,涉及微(wei)電(dian)子(zi)材料領域(yu),特別涉及應用于氧(yang)化(hua)物(氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei))-復(fu)合(he)氧(yang)化(hua)物(鈦(tai)酸鍶)異質外(wai)延(yan)中納(na)米線及其(qi)表(biao)面周(zhou)期結(jie)構(gou)的制備方(fang)法。
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在單晶基板上形成第三族氮化(hua)物(wu)外延層方法(fa)、制品(pin)及(ji)設備(bei)0008)GaN單晶生長方法(fa)、GaN商(shang)品(pin)名稱:基板單晶技(ji)術單晶氮化(hua)鎵單晶基板半(ban)導體氧(yang)化(hua)鎂生產資料(liao)剩余時間(jian):。
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006一種化(hua)(hua)(hua)學(xue)機(ji)械(xie)拋(pao)(pao)光單(dan)晶氧化(hua)(hua)(hua)鎂(mei)(mei)基片用的拋(pao)(pao)光液[摘(zhai)要]本技術一種化(hua)(hua)(hua)學(xue)機(ji)械(xie)拋(pao)(pao)光單(dan)晶氧化(hua)(hua)(hua)鎂(mei)(mei)基片用的拋(pao)(pao)光液,屬于化(hua)(hua)(hua)學(xue)機(ji)械(xie)拋(pao)(pao)光用的拋(pao)(pao)光液,特別(bie)涉及化(hua)(hua)(hua)學(xue)機(ji)械(xie)拋(pao)(pao)光單(dan)晶。
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