SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶(jing)材料(liao)的(de)(de)(de)(de)硬度及脆(cui)性大,且化(hua)學穩定性好,故如何獲得高(gao)平面精度的(de)(de)(de)(de)無(wu)損(sun)傷晶(jing)片表面已成為其廣泛應用所必須解決的(de)(de)(de)(de)重要問題。本論(lun)文采用定向(xiang)切割晶(jing)片的(de)(de)(de)(de)方法,分別研(yan)究了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要(yao)(yao):SiC單晶的(de)材質既硬且脆,加工難度(du)很大。本(ben)文介紹了加工SiC單晶的(de)主要(yao)(yao)方法,闡(chan)述了其加工原理、主要(yao)(yao)工藝參數對加工精度(du)及效率(lv)的(de)影響,提(ti)出了加工SiC單晶片今(jin)后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機(ji)械密(mi)封環(huan)表(biao)面微織構激光加(jia)工工藝(yi)符(fu)永(yong)宏(hong)祖權紀敬虎楊東燕符(fu)昊(hao)摘要:采用(yong)聲光調Q二極管(guan)泵浦Nd:YAG激光器(qi),利用(yong)"單脈沖同(tong)點(dian)間隔多次"激光加(jia)工工藝(yi),。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由于(yu)SiC硬度非常高(gao),對單晶后續的加工(gong)造成很多困難,包括切割(ge)和磨(mo)拋(pao).研究發現利用圖中顏色較深的是摻(chan)氮條紋,晶體(ti)生長(chang)45h.從上述移動坩堝萬方數據812半導體(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要(yao):SiC陶瓷以(yi)(yi)其優(you)異的性能得(de)到廣泛的應(ying)用,但是其難(nan)以(yi)(yi)加工的缺點限(xian)制了應(ying)用范(fan)圍。本文對磨削方(fang)法加工SiC陶瓷的工藝參(can)數進行了探討,其工藝參(can)數為組合:粒(li)度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日-LED半(ban)導體照明網訊日本上市公司(si)薩姆肯(Samco)發布了(le)新型晶片盒生產蝕刻(ke)系(xi)(xi)統,處理SiC加(jia)工(gong),型號為RIE-600iPC。系(xi)(xi)統主要應用在碳化硅功率儀器平面加(jia)工(gong)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本(ben)上市公司薩(sa)姆肯(ken)(Samco)發布了新(xin)型晶(jing)片盒(he)生(sheng)產蝕刻(ke)系統,處理(li)SiC加工,型號為(wei)RIE-600iPC。系統主(zhu)要應用在碳化硅功率儀(yi)器平(ping)面加工、SiCMOS結構(gou)槽(cao)刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸(ju)SiC表面裂(lie)紋加工(gong)質(zhi)(zhi)量摘要:SiC是第三代半導體材(cai)料的核(he)心之一,廣泛用于制作電(dian)子(zi)器件,其加工(gong)質(zhi)(zhi)量和精(jing)度直接影響(xiang)到(dao)器件的性能。SiC晶體硬(ying)度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采用(yong)聲光(guang)調(diao)Q二(er)極管泵浦Nd:YAG激光(guang)器,利用(yong)“單脈沖同點間(jian)隔多次”激光(guang)加工工藝(yi)(yi),對碳化硅機(ji)械密封試(shi)樣(yang)端(duan)面進行激光(guang)表(biao)面微織構的加工工藝(yi)(yi)試(shi)驗研究.采用(yong)Wyko-NTll00表(biao)面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到(dao)2754條符合-SiC的查詢結果。您可以在阿里巴巴公司黃(huang)頁(ye)搜索(suo)到(dao)關于(yu)-SiC生產(chan)商(shang)(shang)的工商(shang)(shang)注冊年份、員工人數、年營業額、信用記錄(lu)、相關-SiC產(chan)品的供求信息(xi)、交易(yi)記錄(lu)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供(gong)(gong)應商(shang)免(mian)費提供(gong)(gong)各(ge)類sic碳(tan)(tan)化硅(gui)批發,sic碳(tan)(tan)化硅(gui)價格(ge),sic碳(tan)(tan)化硅(gui)廠家信息,您也可以在這里免(mian)費展(zhan)示銷售sic碳(tan)(tan)化硅(gui),更有機會通過(guo)各(ge)類行業展(zhan)會展(zhan)示給需(xu)求(qiu)方!sic碳(tan)(tan)化硅(gui)商(shang)機盡在。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛(gang)石多線切割設(she)備在SiC晶(jing)片加工中的應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查(cha)看全(quan)文下載全(quan)文導出(chu)添加到引用通知分(fen)享到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年(nian)3月(yue)17日-SiC陶瓷與鎳基高溫合金(jin)的熱壓反應燒結連(lian)接段輝平李樹杰張永剛劉深張艷(yan)黨紫九(jiu)劉登科摘要(yao):采用Ti-Ni-Al金(jin)屬復合焊料粉末(mo),利用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具加工(gong)SiC顆粒(li)增強鋁(lv)基(ji)復合材(cai)料(liao)的(de)(de)公道切削速度〔摘要〕通過用掃描電(dian)鏡(jing)等方式檢測PCD刀具的(de)(de)性能(neng),并(bing)與自然金(jin)剛石的(de)(de)相關參數進行比較,闡(chan)明了PCD刀具的(de)(de)優異(yi)性能(neng)。
-SiC公司_-SiC廠家_公司黃頁-阿里巴巴
石(shi)墨SiC/Al復(fu)合(he)材料壓力浸滲力學(xue)性(xing)(xing)(xing)能(neng)加工(gong)性(xing)(xing)(xing)能(neng)關鍵詞:石(shi)墨SiC/Al復(fu)合(he)材料壓力浸滲力學(xue)性(xing)(xing)(xing)能(neng)加工(gong)性(xing)(xing)(xing)能(neng)分類號:TB331正(zheng)文快照:0前言(yan)siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文]2012年(nian)11月29日-為了研究(jiu)(jiu)磨削(xue)工(gong)藝參數對SiC材料磨削(xue)質量的(de)影(ying)響規律,利用DMG銑磨加工(gong)做了SiC陶瓷平面磨削(xue)工(gong)藝實驗,分(fen)析研究(jiu)(jiu)了包括(kuo)主軸轉速、磨削(xue)深度(du)、進給(gei)速度(du)在內的(de)。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究方向:微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)設計與加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu)、SiCMEMS技(ji)(ji)術(shu)、微(wei)(wei)(wei)能源(yuan)技(ji)(ji)術(shu)微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)設計與加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu)微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)米加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu):利用深刻蝕加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu),開發出適合于(yu)大規模加(jia)工(gong)的(de)高精度微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)復合結(jie)。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖(tu)文(wen)]SiC晶(jing)體生長和加工SiC是(shi)重要的(de)寬禁帶半導體,具有高(gao)熱導率、高(gao)擊穿場強等(deng)特性和優勢,是(shi)制作高(gao)溫、高(gao)頻(pin)、大功(gong)率、高(gao)壓以及抗輻射電子器件的(de)理想材料(liao),在軍工、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介簡單地介紹了發光二(er)極管的(de)發展(zhan)歷程,概(gai)述了LED用SiC襯底的(de)超精密研(yan)磨技術的(de)現狀及發展(zhan)趨勢,闡述了研(yan)磨技術的(de)原(yuan)理、應用和優勢。同時(shi)結合實驗室X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年(nian)6月6日-磨(mo)(mo)料(liao)是用于磨(mo)(mo)削加(jia)工和(he)制做磨(mo)(mo)具的一種基(ji)礎材料(liao),普通磨(mo)(mo)料(liao)種類主(zhu)要有(you)剛玉和(he)1891年(nian)美國卡不倫登(deng)公司(si)的E.G艾奇遜用電(dian)阻(zu)爐人工合(he)成并發明(ming)SiC。1893年(nian)。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪(jiao)拌摩擦加工SiC復合(he)層對鎂合(he)金(jin)(jin)摩擦磨損性能(neng)的(de)影響分享(xiang)到(dao):分享(xiang)到(dao)QQ空間收藏推薦(jian)鎂合(he)金(jin)(jin)是目前輕的(de)金(jin)(jin)屬(shu)結構材料,具有密度低(di)、比強度和比剛度高、阻尼減震(zhen)性。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述(shu)了半導(dao)體(ti)材料SiC拋(pao)光(guang)技術的發展(zhan),介(jie)紹了SiC單晶片CMP技術的研究現狀,分析(xi)了CMP的原(yuan)理和(he)工(gong)藝參數對拋(pao)光(guang)的影響,指(zhi)出(chu)了SiC單晶片CMP急(ji)待解決(jue)的技術和(he)理論(lun)問題,并(bing)對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年在國(guo)內率先完成1.3m深焦比(bi)輕質非(fei)球面(mian)反(fan)射鏡的研究工作,減重(zhong)比(bi)達到65%,加(jia)(jia)工精度優于17nmRMS;2007年研制(zhi)成功1.1m傳輸型(xing)詳查相機(ji)SiC材料離軸非(fei)球面(mian)主(zhu)鏡,加(jia)(jia)工。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日-近(jin)日,三(san)菱電機宣(xuan)布(bu),開發出(chu)了能夠一次將一塊多晶碳化硅(SiC)錠切割(ge)成40片SiC晶片的多點放電線切割(ge)技(ji)術(shu)。據悉,該技(ji)術(shu)有(you)望提高SiC晶片加工的生產效率(lv),。
SiC晶體生長和加工
加工(gong)圓孔孔徑(jing)范圍:200微(wei)米—1500微(wei)米;孔徑(jing)精度:≤2%孔徑(jing);深(shen)寬/孔徑(jing)比:≥20:1(3)飛秒(miao)激光數控機床的微(wei)孔加工(gong)工(gong)藝:解決戰略型(xing)CMC-SiC耐高溫材料微(wei)孔(直徑(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝市(shi)車(che)船機(ji)電(dian)有限(xian)公司(si)(si)(si)csic衛輝市(shi)車(che)船機(ji)電(dian)有限(xian)公司(si)(si)(si)是(shi)(shi)中國船舶重工(gong)(gong)集團公司(si)(si)(si)聯營(ying)是(shi)(shi)否提供加工(gong)(gong)/定(ding)制服務:是(shi)(shi)公司(si)(si)(si)成(cheng)立時間:1998年公司(si)(si)(si)注冊地(di):河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激(ji)光加工激(ji)光熔(rong)(rong)覆陶(tao)(tao)瓷(ci)涂層耐(nai)腐(fu)蝕性極化曲線關鍵字(zi):激(ji)光加工激(ji)光熔(rong)(rong)覆陶(tao)(tao)瓷(ci)涂層耐(nai)腐(fu)蝕性極化曲線采(cai)用激(ji)光熔(rong)(rong)覆技(ji)術,在(zai)45鋼表面(mian)對含量不同的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研(yan)發了SiC晶片加(jia)工工藝:選取適當種類(lei)、粒度(du)、級配的磨(mo)料和加(jia)工設備來切割、研(yan)磨(mo)、拋光、清洗和封裝的工藝,使(shi)產品達到了“即開即用”的水準。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非球(qiu)(qiu)面(mian)SiC反(fan)射鏡的精密銑磨加工技術,張志宇;李銳鋼;鄭立(li)功;張學軍;-機械工程學報(bao)2013年第17期在(zai)線(xian)閱讀、文章下載。<正(zheng);0前言1環繞(rao)地球(qiu)(qiu)軌道(dao)運行(xing)的空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年(nian)10月25日-加(jia)(jia)工(gong)電(dian)(dian)(dian)流(liu)非常小(xiao),Ie=1A,加(jia)(jia)工(gong)電(dian)(dian)(dian)壓為(wei)170V時(shi),SiC是(shi)加(jia)(jia)工(gong)的,當Ti=500μs時(shi),Vw=0.6mm3/min。另外,Iwanek還得出了“臨界(jie)電(dian)(dian)(dian)火花加(jia)(jia)工(gong)限制(zhi)”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范圍:陶(tao)瓷(ci)軸(zhou)(zhou)承(cheng);陶(tao)瓷(ci)噴(pen)嘴;sic密封件(jian);陶(tao)瓷(ci)球(qiu);sic軸(zhou)(zhou)套;陶(tao)瓷(ci)生產(chan)加工機械;軸(zhou)(zhou)承(cheng);機械零部件(jian)加工;密封件(jian);陶(tao)瓷(ci)加工;噴(pen)嘴;噴(pen)頭;行業(ye)類(lei)別:計算機產(chan)品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此(ci),本文對(dui)(dui)IAD-Si膜(mo)層的微觀結構(gou)、表(biao)面形貌及抗熱振蕩性(xing)能(neng)進行(xing)了(le)研(yan)究(jiu),這不僅對(dui)(dui)IAD-Si表(biao)面加工具有指導(dao)意義,也能(neng)進一(yi)步證明RB-SiC反射鏡表(biao)面IAD-Si改性(xing)技術的。