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摘要(yao):正拋(pao)光是半導體器件生(sheng)產中(zhong)(zhong)的關鍵基(ji)本工藝之一。在(zai)現用的硅片拋(pao)光4譚剛;;納米CeO_2拋(pao)光料對(dui)硅晶片進行化學機(ji)械(xie)拋(pao)光的研究(jiu)[A];中(zhong)(zhong)國微米。

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表(biao)面改性膠體二(er)氧化(hua)(hua)硅以及含有(you)該膠體二(er)氧化(hua)(hua)硅的(de)化(hua)(hua)學機械(xie)研(yan)磨(mo)用(yong)研(yan)磨(mo)組合物根據上述本發明,可以提供一種(zhong)CMP用(yong)研(yan)磨(mo)組合物,其在CMP研(yan)磨(mo)的(de)第1階段研(yan)磨(mo)過程中(zhong)。

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氣相二氧化硅_百度百科

制造(zao)工(gong)藝(yi),質量標準和(he)工(gong)藝(yi)流程(cheng)等,機械、設備、裝置類(編號:S1003339-0550-0298)用硅石生產納米二氧化(hua)硅(編號:S1003339-0859-0915)具有低清潔性和(he)研磨(mo)。

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2006年10月18日-五、工藝(yi)特(te)性及用(yong)途1.工藝(yi)特(te)性決(jue)定硅石(shi)(shi)工業應用(yong)(5)研(yan)磨(mo)業:石(shi)(shi)英巖(yan)和(he)石(shi)(shi)英砂巖(yan)可制作磨(mo)石(shi)(shi)、油(you)石(shi)(shi)玻璃(li)的一系列優良性能,如透(tou)明度、機(ji)械強度、熱。

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